Транзистор КТ940 КТ940А, КТ940Б, КТ940В
Транзистор КТ940 - усилительный, структуры n-p-n, кремниевый, мезапланарный. Основное применение - выходные каскады видеоусилителей телевизоров. Транзистор КТ940А-КТ940В имеет жёсткие выводы и металлостеклянный корпус. Тип указывается на корпусе. Весит не более 0.7 г. Транзистор КТ940А-5-КТ940В-5 выпускается на пластине с контактными площадками в виде неразделённых кристаллов. Этот тип транзисторов применяется для гибридных интегральных микросхем. Тип указывается на этикетке. Его масса не более 0.01 г.
Цоколёвка КТ940A, KT940Б, КТ940В

Цоколёвка КТ940A-5, KT940Б-5, КТ940В-5

Электрические параметры транзистора КТ940
| • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 30 мА, не менее |
25 |
| • Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 15 мА, не менее: |
90 МГц |
| • Напряжение насыщения К-Э при Iк = 30 мА, Iб = 6 А, не более | 1 В |
| • Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 30 В, не более | 5.5 пФ |
| • Ток коллектора (обратный) при Uкб = 250 В: | |
| при Uкб = 250 В для КТ940А, КТ940А-5, не более | 50 нА |
| при Uкб = 200 В для КТ940Б, КТ940Б-5, не более | 50 нА |
| при Uкб = 100 В для КТ940В, КТ940В-5, не более | 50 нА |
| • Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 3 В, не более | 50 нА |
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ940
| • Напряжение К-Б (постоянное): | |
| КТ940А, КТ940А-5 | 300 В |
| КТ940Б, КТ940Б-5 | 250 В |
| КТ940В, КТ940В-5 | 160 В |
| • Напряжение К-Э (постоянное): | |
| КТ940А, КТ940А-5 | 300 В |
| КТ940Б, КТ940Б-5 | 250 В |
| КТ940В, КТ940В-5 | 160 В |
| • Постоянное напряжение Э-Б | 5 В |
| • Ток коллектора (постоянный) | 100 мА |
| • Ток коллектора (импульсный) при tи = 30 мкс, Q = 10 | 300 мА |
| • Ток базы (постоянный) | 50 мА |
| • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная): | |
| без теплоотвода, T = −45...+25°C | 1.2 Вт |
| с теплоотводом: | |
| Tк = −45...+25°C, Uкб = 100 В | 10 Вт |
| Tк = +85°C | 6 Вт |
| • Тепловое сопротивление: | |
| переход - корпус | 10°C/Вт |
| переход - среда | 104°C/Вт |
| • Температура p-n перехода | +150°C |
| • Рабочая температура (окружающей среды) | −45...+85°C |