Транзистор КТ645: КТ645А, КТ645Б
Транзистор КТ645 - универсальный, кремниевый, структуры n-p-n, эпистаксиально-планарный. Основное применение - быстродействующие импульсные устройства, высокочастотные генераторы и усилители. Имеет гибкие выводы и пластмассовый корпус. Масса не более 0.3 г. Тип прибора указывается на этикетке.
Цоколевка транзисторов КТ645
Электрические параметры транзистора КТ645
• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером: | |
КТ645А при Uкб = 2 В, Iэ = 150 мА | 20 ÷ 200 |
КТ645Б при Uкб = 10 В, Iэ = 2 мА, не менее | 80 |
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ при Uкб = 10 В, Iэ = 50 мА, не менее |
200 МГц |
• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц, не более |
120 пс |
• Напряжение насыщения К-Э, не более: | |
КТ645А при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА | 0.5 В |
КТ645Б при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА | 0.05 В |
• Время рассасывания при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА, не более | 50 нс |
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, не более | 5 пФ |
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более | 50 пФ |
• Обратный ток коллектора при Uкб = Uкб макс, не более: | |
Т = −45...+25°C | 10 мкА |
Т = +85°C | 100 мкА |
• Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В, не более | 10 мкА |
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ645
• Напряжение К-Б (постоянное): | |
КТ645А | 60 В |
КТ645Б | 40 В |
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 КОм: | |
КТ645А | 50 В |
КТ645Б | 40 В |
• Напряжение Э-Б (постоянное): | 4 В |
• Ток коллектора (постоянный) | 300 мА |
• Ток коллектора (импульсный) при tи = 10 мкс, Q = 5 | 600 мА |
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная): | |
при Т = −45... +25°C | 0.5 Вт |
при Т = +85°C | 0.25 Вт |
• Рассеиваемая мощность коллектора (импульсная) при tи = 10 мкс, Q = 5, Т = −45...+55°C |
1 Вт |
• Температура p-n перехода | +150°C |
• Рабочая температура (окружающей среды) | −45...+85°C |