Транзистор КТ626: КТ626А, КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д
Транзистор КТ626 - эпитаксиально-планарный, структуры p-n-p, кремниевый. Основное применение - переключающие устройства, усилители и генераторы КВ диапазона. Имеет жёсткие выводы и пластмассовый корпус. Масса - не более 1 г. На корпусе указывается тип прибора.
Цоколевка транзисторов КТ626
Электрические параметры транзистора КТ626
• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкэ = 2 В, Iк = 150 мА: |
|
Т = +25°C: | |
КТ626А, КТ626Д | 40 ÷ 250 |
КТ626Б | 30 ÷ 100 |
КТ626В | 15 ÷ 45 |
КТ626Г | 15 ÷ 60 |
Т = +85°C: | |
КТ626А, КТ626Д | 40 ÷ 500 |
КТ626Б | 30 ÷ 200 |
КТ626В | 15 ÷ 90 |
КТ626Г | 15 ÷ 120 |
Т = −40°C: | |
КТ626А, КТ626Д | 20 ÷ 250 |
КТ626Б | 15 ÷ 100 |
КТ626В | 8 ÷ 45 |
КТ626Г | 8 ÷ 60 |
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ при Uкэ = 10 В, Iэ = 30 мА, не менее: |
|
КТ626А, КТ626Б | 75 МГц |
КТ626В, КТ626Г, КТ626Д | 45 МГц |
• Напряжение насыщения К-Э КТ626А, КТ626Б при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА и КТ626В, КТ626Г, КТ626Д при Iк = 500 мА, Iб = 100 мА, не более |
1 В |
• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uкб = 10 В, Iэ = 30 мА, f = 5 МГц, не более |
500 пс |
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб о = 10 В, не более | 150 пФ |
• Обратный ток коллектора не более: | |
КТ626А: | |
при Uкб о = 30 В | 10 мкА |
при Uкб о = 45 В | 1 мА |
КТ626Б, КТ626В при Uкб о = 30 В и КТ626Г, КТ626Д при Uкб о = 20 В: |
150 мкА |
КТ626Б при Uкб о = 60 В и КТ626В при Uкб о = 80 В: | 1 мА |
• Обратный ток эмиттера при Uэб о = 4 В, не более: | |
КТ626А | 10 мкА |
КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д | 300 мкА |
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ626
• Напряжение К-Б (постоянное): | |
КТ626А | 45 В |
КТ626Б | 60 В |
КТ626В | 80 В |
КТ626Г, КТ626Д | 20 В |
• Ток коллектора (постоянный) | 500 мА |
• Ток коллектора (импульсный) | 1.5 А |
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная): | |
при Тк ≤ +60°C | 6.5 Вт |
при Тк = +85°C | 4 Вт |
• Тепловое сопротивление переход - корпус | 10°C/Вт |
• Температура p-n перехода | +125°C |
• Рабочая температура (окружающей среды) |
−40...+85°C |