Транзистор КТ316: КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д
Транзистор КТ316 - усилительный и переключательный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры n-p-n. Коэффициент шума не нормирован. КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316Г, 2Т316Д применяются в УВЧ, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В - в переключающих устройствах. Имеют металлостеклянный корпус, выводы гибкие. Тип указывается на корпусе. Масса не более 0.6 г. (КТ316АМ - КТ316ДМ имеют пластмассовый корпус. Маркируются сокращённо: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д. Масса не более 0.5 г.)
Цоколевка КТ316
Цоколевка КТ316 показана на рисунке.
Электрические параметры КТ316
| • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкэ = 0, Iэ = 10 мА: |
|
| T = +25°C: | |
| КТ316А, КТ316АМ, 2Т316А | 20 ÷ 60 |
| КТ316Б, КТ316В КТ316БМ, КТ316ВМ, 2Т316Б, 2Т316В | 40 ÷ 120 |
| КТ316Г, КТ316ГМ, 2Т316Г | 20 ÷ 100 |
| КТ316Д, КТ316ДМ, 2Т316Д | 60 ÷ 300 |
| T = −60°C: | |
| 2Т316А | 10 ÷ 60 |
| 2Т316Б, 2Т216В | 20 ÷ 120 |
| 2Т316Г | 10 ÷ 100 |
| 2Т316Д | 30 ÷ 300 |
| T = +125°C: | |
| 2Т316А | 20 ÷ 120 |
| 2Т316Б, 2Т216В | 40 ÷ 240 |
| 2Т316Г | 20 ÷ 200 |
| 2Т316Д | 60 ÷ 600 |
| • Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА: |
|
| КТ316А, КТ316Г, КТ316АМ, КТ316ГМ, 2Т316А, 2Т316Г, не менее | 600 МГц |
| КТ316Б, КТ316В, КТ316Д, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ДМ, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Д, не менее |
800 МГц |
| • Постоянная времени цепи обратной связи при Iэ = 10 мА, Uкб = 5 В, f = 10 МГц, для КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316Г, 2Т316Д, не более |
150 пс |
| • Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Rб2 = 1 мА, Rк = 75 Ом: | |
| КТ316А, КТ316Б, КТ316АМ, КТ316БМ, 2Т316А, 2Т316Б, не более | 10 нс |
| КТ316В, КТ316ВМ, 2Т316В, не более | 15 нс |
| • Граничное напряжение при Iэ = 1 мА, не менее | 5 В |
| • Напряжение насыщения К-Э при Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, не более | 0.4 В |
| • Напряжение насыщения Б-Э при Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, не более | 1.1 В |
| • Ток коллектора (обратный) при Uкб = 10 В, не более: | |
| T = +25°C | 0.5 мкА |
| T = +125°C 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д | 5 мкА |
| • Ток эмиттера (обратный) при T = +25°C, Uэб = 4 В, не более | 1 мкА |
| • Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более | 3 пФ |
| • Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более | 2.5 пФ |
| • Конструктивная ёмкость между выводами эмиттера и коллектора КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д |
0.5 пФ |
| • Индуктивность выводов базы и эмиттера КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д при l = 3 мм |
6 нГн |
Предельные эксплуатационные характеристики КТ316
| • Постоянное напряжение Б-К | 10 В |
| • Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 3 кОм: | 10 В |
| • Постоянное напряжение Б-Э | 4 В |
| • Ток коллектора и эмиттера (постоянный) | 30 мА |
| • Ток коллектора и эмиттера в режиме насыщения (постоянный) |
50 мА |
| • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная)1: | |
| 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д: | |
| при T ≤ +75°C, P ≥ 6550 Па | 150 мВт |
| при T ≤ +75°C, P = 655 Па | 100 мВт |
| при T = +125°C | 60 мВт |
| КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д: | |
| при T ≤ +90°C | 150 мВт |
| при T = +125°C | 60 мВт |
| КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ: | |
| при T ≤ +85°C | 150 мВт |
| • Температура перехода (p-n) | +150°C |
1 В диапазонах температур +75...+125°C для 2Т316А ÷ 2T316Д и +90...+125°C для КТ316А ÷ КТ316Д допустимые значения рассеиваемой мощности снижаются линейно.