Транзистор КТ209
Транзистор КТ209 - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется по коэффициенту шума на частоте 1 кГц. Применяется в импульсных и усилительных модулях, а также в различных блоках герметизированной аппаратуры. Два номинала транзистора КТ209 выпускаются специально для применения в телевизионных приёмниках, это КТ209Б1 и КТ209В1.
КТ209 выпускаются в двух вариантах корпусов (см. рисунок ниже) и маркируются следующим образом:
вариант 1 - буква типономинала на корпусе;
вариант 2 - на боковой поверхности имеется метка серого цвета, а на торце транзистора метка, соответствующего типономинала.
| Вариант 1 | |
| КТ209А | А |
| КТ209Б | Б |
| КТ209Б1 | Б1 |
| КТ209В | В |
| КТ209В1 | В1 |
| КТ209Г | Г |
| КТ209Д | Д |
| КТ209Е | Е |
| КТ209Ж | Ж |
| КТ209И | И |
| КТ209К | К |
| КТ209Л | Л |
| КТ209М | М |
| Вариант 2 | |
| КТ209А | тёмно-красная |
| КТ209Б | жёлтая |
| КТ209В | тёмно-зелёная |
| КТ209Г | голубая |
| КТ209Д | синяя |
| КТ209Е | белая |
| КТ209Ж | коричневая |
| КТ209И | серебристая |
| КТ209К | оранжевая |
| КТ209Л | светло-табачная |
| КТ209М | серая |
Оба варианта исполнения имеют пластмассовый корпус и гибкие выводы. Весит транзистор КТ209 не более 0.3 г.
КТ209 цоколевка
Цоколевка КТ209 показана на рисунке выше.
Электрические параметры транзистора КТ209
| • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером. Uкб = 1 В, Iк = 30 мА: |
|
| Т = +25°C: | |
| КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л | 20 ÷ 60 |
| КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М | 40 ÷ 120 |
| КТ209В, КТ209Е | 80 ÷ 240 |
| КТ209К | 80 ÷ 160 |
| КТ209Б1, не менее | 12 |
| КТ209В1, не менее | 30 |
| Т = +100°C: | |
| КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л | 20 ÷ 120 |
| КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М | 40 ÷ 240 |
| КТ209В, КТ209Е | 80 ÷ 480 |
| КТ209К | 80 ÷ 320 |
| КТ209Б1, не менее | 12 |
| КТ209В1, не менее | 30 |
| Т = −45°C: | |
| КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л | 10 ÷ 60 |
| КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М | 20 ÷ 120 |
| КТ209В, КТ209Е | 40 ÷ 240 |
| КТ209К | 40 ÷ 160 |
| КТ209Б1, не менее | 6 |
| КТ209В1, не менее | 15 |
| • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при Uкб = 5 В, Iк = 10 мА, не менее: |
5 МГц |
| • Коэффициент шума при Iк = 0.2 мА, Uкэ = 5 В, f = 1 кГц для КТ209В, КТ209Е, КТ209К, не более: |
5 дБ |
| • Напряжение насыщения К-Э, при Iк = 300 мА, Iб = 30 мА, не более |
0.4 В |
| • Напряжение насыщения Б-Э, при Iк = 300 мА, Iб = 30 мА, не более | 1.5 В |
| • Ток эмиттера (обратный), при Uэб = Uэб max, не более | 1 мкА |
| • Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером, при Uкэ = 5 В, Iк = 5 мА |
130÷2500 Ом |
| • Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 500 КГц, не более: | 50 пФ |
| • Ёмкость коллекторного перехода при Uэб = 0.5 В, f = 1 МГц, не более: | 100 пФ |
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ209
| • Напряжение К-Б (постоянное): | |
| при Т = +25...+100°C: | |
| КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 | 15 В |
| КТ209К, КТ209Д, КТ209Е | 30 В |
| КТ209Ж, КТ209И, КТ209К | 45 В |
| КТ209Л, КТ209М | 60 В |
| при Т = −45°C: | |
| КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 | 10 В |
| КТ209К, КТ209Д, КТ209Е | 25 В |
| КТ209Ж, КТ209И, КТ209К | 40 В |
| КТ209Л, КТ209М | 55 В |
| • Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 10 КОм: | |
| при Т = +25...+100°C: | |
| КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 | 15 В |
| КТ209К, КТ209Д, КТ209Е | 30 В |
| КТ209Ж, КТ209И, КТ209К | 45 В |
| КТ209Л, КТ209М | 60 В |
| при Т = −45°C: | |
| КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 | 10 В |
| КТ209К, КТ209Д, КТ209Е | 25 В |
| КТ209Ж, КТ209И, КТ209К | 40 В |
| КТ209Л, КТ209М | 55 В |
| • Напряжение Э-Б (постоянное): | |
| при Т = +25...+100°C: | |
| КТ209Б1 | 5 В |
| КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209В1 |
10 В |
| КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М | 15 В |
| • Ток коллектора (постоянный): | 300 мА |
| • Ток коллектора (импульсный): | 500 мА |
| • Ток базы (постоянный): | 100 мА |
| • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная): | |
| T = −45...+45°C | 200 мВт |
| T = +100°C | 62.5 мВт |
| • Тепловое сопротивление переход − среда | 0.45°C/мВт |
| • Температура p-n перехода | +125°C |
| • Рабочая температура (окружающей среды) | −45 ... +100°C |
При Т > +45°C Pкмакс уменьшается линейно.