Транзистор КТ209

Транзистор КТ209 - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется по коэффициенту шума на частоте 1 кГц. Применяется в импульсных и усилительных модулях, а также в различных блоках герметизированной аппаратуры. Два номинала транзистора КТ209 выпускаются специально для применения в телевизионных приёмниках, это КТ209Б1 и КТ209В1.
КТ209 выпускаются в двух вариантах корпусов (см. рисунок ниже) и маркируются следующим образом:
вариант 1 - буква типономинала на корпусе;
вариант 2 - на боковой поверхности имеется метка серого цвета, а на торце транзистора метка, соответствующего типономинала.

Вариант 1
КТ209А А
КТ209Б Б
КТ209Б1 Б1
КТ209В В
КТ209В1 В1
КТ209Г Г
КТ209Д Д
КТ209Е Е
КТ209Ж Ж
КТ209И И
КТ209К К
КТ209Л Л
КТ209М М
Вариант 2
КТ209А тёмно-красная
КТ209Б жёлтая
КТ209В тёмно-зелёная
КТ209Г голубая
КТ209Д синяя
КТ209Е белая
КТ209Ж коричневая
КТ209И серебристая
КТ209К оранжевая
КТ209Л светло-табачная
КТ209М серая
 

Транзистор КТ209

Оба варианта исполнения имеют пластмассовый корпус и гибкие выводы. Весит транзистор КТ209 не более 0.3 г.

КТ209 цоколевка

Цоколевка КТ209 показана на рисунке выше.

Электрические параметры транзистора КТ209

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером.
Uкб = 1 В, Iк = 30 мА:
 Т = +25°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л 20 ÷ 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М 40 ÷ 120
КТ209В, КТ209Е 80 ÷ 240
КТ209К 80 ÷ 160
КТ209Б1, не менее 12
КТ209В1, не менее 30
 Т = +100°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л 20 ÷ 120
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М 40 ÷ 240
КТ209В, КТ209Е 80 ÷ 480
КТ209К 80 ÷ 320
КТ209Б1, не менее 12
КТ209В1, не менее 30
 Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л 10 ÷ 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М 20 ÷ 120
КТ209В, КТ209Е 40 ÷ 240
КТ209К 40 ÷ 160
КТ209Б1, не менее 6
КТ209В1, не менее 15
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
при Uкб = 5 В, Iк = 10 мА, не менее:
5 МГц
• Коэффициент шума при Iк = 0.2 мА, Uкэ = 5 В, f = 1 кГц
для КТ209В, КТ209Е, КТ209К, не более:
5 дБ
• Напряжение насыщения К-Э, при Iк = 300 мА, Iб = 30 мА, не более    
0.4 В
• Напряжение насыщения Б-Э, при Iк = 300 мА, Iб = 30 мА, не более 1.5 В
• Ток эмиттера (обратный), при Uэб = Uэб max, не более 1 мкА
• Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером,   
при Uкэ = 5 В, Iк = 5 мА
130÷2500
Ом
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 500 КГц, не более: 50 пФ
• Ёмкость коллекторного перехода при Uэб = 0.5 В, f = 1 МГц, не более: 100 пФ

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ209

• Напряжение К-Б (постоянное):
 при Т = +25...+100°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 15 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е 30 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К 45 В
КТ209Л, КТ209М 60 В
 при Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 10 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е 25 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К 40 В
КТ209Л, КТ209М 55 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 10 КОм:
 при Т = +25...+100°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 15 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е 30 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К 45 В
КТ209Л, КТ209М 60 В
 при Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 10 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е 25 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К 40 В
КТ209Л, КТ209М 55 В
• Напряжение Э-Б (постоянное):
 при Т = +25...+100°C:
КТ209Б1 5 В
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209В1  
10 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М 15 В
• Ток коллектора (постоянный): 300 мА
• Ток коллектора (импульсный): 500 мА
• Ток базы (постоянный): 100 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
T = −45...+45°C 200 мВт
T = +100°C 62.5 мВт
• Тепловое сопротивление переход − среда 0.45°C/мВт
• Температура p-n перехода +125°C
• Рабочая температура (окружающей среды) −45 ... +100°C

При Т > +45°C Pкмакс уменьшается линейно.