Транзисторы MOSFET от IXYS - самые высоковольтные

Фирма IXYS Corporation начинает производство новых силовых транзисторов MOSFET - самых высоковольных на данный момент. Это N-канальные транзисторы, имеющие допустимое напряжение стока в 4.5 КВ. Вся линейка новых MOSFET состоит из транзисторов с допустимым рабочим током 0.2 - 2 А. Разрабатывались эти приборы для ВЧ преобразователей, которым необходимо очень высокое запирающее напряжение.

Новые транзисторы MOSFET удобно объединять параллельным включением. Это стало возможно благодаря положительному температурному коэффициенту сопротивления открытого канала. Обычно для объединения использовали последовательное включение, но параллельное проще и дешевле. Благодаря этому упрощается схема, сокращается количество драйверов затворов, сокращается площадь печатной платы и, соответственно, повышается общая надёжность системы. Из базового курса физики известно, что чем выше напряжение в линии, тем эффективнее происходит передача электрической энергии. Поэтому благодаря новым MOSFET транзисторам рабочее напряжение преобразователей энергии максимально приближено к напряжению высоковольтной сети.

Кристалл нового транзистора MOSFЕТ смонтирован на отдельной керамической пластине на медном основании. Медное основание играет роль теплоотвода. Эта технологи называется DCB (Direct Copper Bond). Благодаря этому достигнут недостижимый ранее уровень изоляции - 4.5 КВ. Эта технология обеспечивает низкое тепловое сопротивление и, соответственно, высокую мощность и устойчивость.

Новые силовые транзисторы MOSFET хороши для применения не только в высоковольтных источниках питания и импульсных схемах. Они с успехом могут применяться в питании рентгеновских трубок и блоках накачки лазеров, высоковольтном автоматизированном измерительном оборудовании, системах отвода эрергии от высоковольных цепей и просто в разрядных цепях конденсаторов.

Выпускаются новые MOSFET в высоковольтных версиях стандартных корпусов TO-263, TO-268, ISOPLUS i4-Pak и ISOPLUS i5-Pak.